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　　一直以来，在电子器件领域等各种技术领域中，进行对构件施与含有聚合物的组合物的操作。

　　已知例如，对半导体装置的层间绝缘层，施与含有具有2个以上阳离子性官能团的重均分子量为2000～100000的聚合物的半导体用组合物的技术(例如，参照专利文献1)。

　　此外已知，例如，通过对半导体基板的表面的至少一部分，施与含有具有阳离子性官能团的重均分子量为2000～600000的树脂的半导体用密封组合物来形成半导体用密封层，将半导体基板的形成了半导体用密封层的面，用25℃时的ph为6以下的冲洗液洗涤的技术(例如，参照专利文献2)。

　　进一步已知，例如，在半导体基板的至少凹部的底面和侧面，施与含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的半导体用密封组合物，在至少凹部的底面和侧面形成半导体用密封层，将半导体基板的形成了半导体用密封层一侧的面，在温度200℃以上425℃以下的条件下进行热处理，除去在配线的露出面上形成的半导体用密封层的至少一部分的技术(例如，参照专利文献3)。

　　此外已知，例如，具有填充成为贯通通孔电极的贯通通孔电极材的孔，并具有在上述孔的内周面形成的自组装化单分子膜、和吸附于该自组装化单分子膜的成为非电解镀层的催化剂的金属纳米粒子的基板中间体，以及将金属纳米粒子通过选自聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚亚乙基亚胺、四甲基铵、柠檬酸中的保护剂进行涂覆的技术(例如，参照专利文献4)。

　　进一步已知，例如，具备构成tsv结构的一端而包含第1浓度的杂质的第1贯通电极部、和构成tsv结构的其它端而包含大于上述第1浓度的第2浓度的杂质的第2贯通电极部的集成电路元件，以及在形成tsv结构的阶段，通过使用包含由胺或芳香族作用基团形成的流平剂的镀敷组合物的电镀工序，在基板上形成导电膜的技术(例如，参照专利文献5)。

　　此外已知，例如，在具备具有贯通两面而形成的贯通孔的半导体基板、以覆盖贯通孔的方式设置的电极焊盘、外部连接用端子、穿通贯通孔并用于将电极焊盘与外部连接用端子导通的导电配线、用于将电极焊盘与半导体基板绝缘的绝缘膜、和为了将导电配线与半导体基板绝缘而在贯通孔内部的表面上设置的第二绝缘膜的半导体装置中，第二绝缘膜使用由聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸系树脂或有机硅树脂形成的膜的技术(例如，专利文献6)。

　　技术实现要素：

　　发明所要解决的课题

　　可是，关于配置贯通电极作为电极的硅等的基板，需要使基板的孔的壁面与配置于孔的电极的密合性提高，并抑制作为电极的导电体从基板剥离。此外，为了抑制耗电的增加、伴随发热的元件劣化，需要抑制泄漏电流，将基板与电极间电绝缘。

　　本发明的一个方案的目的是提供通过使基板的孔的壁面与配置于孔的导电体的密合性提高，可以抑制导电体的剥离并且可以抑制泄漏电流的基板中间体、贯通通孔电极基板以及贯通通孔电极形成方法。

　　用于解决课题的方法

　　用于解决上述课题的具体方法如下所述。

　　＜1＞一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板、以及在上述孔的壁面形成的密合层，上述密合层包含聚合物(a)与多元羧酸化合物(b)或其衍生物的反应物，所述聚合物(a)具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下，所述的多元羧酸化合物(b)或其衍生物的1分子中具有2个以上羧基。

　　＜2＞根据＜1＞所述的基板中间体，其在上述基板与上述密合层之间进一步具备绝缘层。

　　＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的基板中间体，上述聚合物(a)的阳离子性官能团当量为27～430。

　　＜4＞根据＜1＞～＜3＞的任一项所述的基板中间体，上述聚合物(a)为聚亚乙基亚胺或聚亚乙基亚胺衍生物。

　　＜5＞根据＜1＞～＜4＞的任一项所述的基板中间体，上述多元羧酸化合物(b)具有芳香环。

　　＜6＞根据＜1＞～＜5＞的任一项所述的基板中间体，上述反应物具有酰胺键和酰亚胺键中的至少一者。

　　＜7＞一种贯通通孔电极基板，其具备＜1＞～＜6＞的任一项所述的基板中间体、以及配置于上述孔的作为上述导电体的电极。

　　＜8＞根据＜7＞所述的贯通通孔电极基板，其在上述密合层与上述电极之间进一步具备阻挡层。

　　＜9＞一种贯通通孔电极形成方法，其具有下述工序：在厚度方向具有孔的基板的上述孔的壁面上，形成包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(a)的膜的第1工序；在上述包含聚合物(a)的膜上，施与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(b)或其衍生物的第2工序；在上述第2工序后，通过将包含上述聚合物(a)与上述多元羧酸化合物(b)或其衍生物的膜，在200℃～425℃加热来形成密合层的工序；以及在形成了上述密合层的上述孔形成电极的工序。