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di/dt--通态电流临界上升率VDRM--断态重复峰值电压应用类型可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。区分G极和T1极
管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。2、关于转换电压变化率可控硅元件控制大电感负载时会有电网和自的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。一般分为小值/典型值/大值,而非“=”一个参数值。
可控硅
IF()--正向平均电流
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受而误导通。1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡)图片1
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著,允许通过的平均电流相,此时,标称电流应降级使用。IT--通态一个周波不重复浪涌电流
(1)找出T2极之后,首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极,另一脚为G极。3.1:为防止或减小噪声,对于移相控制式交流调压一般的处理有电感电容滤波电路,阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电路。