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VDRM--断态重复峰值电压1. 过电流保护过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时,过电流继电器就会,切断保护电路。但由于继电器到切断电路需要一定时间,所以只能用作晶闸管的过载保护。四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;
带3伏电池的指针万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。由图可见,双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时,我们称为正向电压,并用符号U21表示。当这个电压逐渐到等于转折电压UBO时,图3(b)左边的可控硅就触发导通,这时的通态电流为I21,方向是从T2流向Tl。从图中可以看到,触发电流越大,转折电压就越低,这种情形和普通可控硅的触发导通规律是一致的, 当加到主电极上的电压使Tl对T2的极性为正时,叫做反向电压,并用符号U12表示。当这个电压达到转折电压值时,图3(b)右边的可控硅便触发导通,这时的电流为I12,其方向是从T1到T2。这时双向可控硅的特性曲线,如图4中第三象限所示。
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。IH--维持电流2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。IGT--门极触发电流
可控硅
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
过零触发型交流固态继电器(AC-SSR)的内部电路。主要包括输入电路、光电耦合器、过零触发电路、开关电路(包括双向晶闸管)、保护电路(RC吸收网络)。当加上输入VI(一般为高电平)、并且交流负载电源电压通过零点时,双向晶闸管被触发,将负载电源接通。固态继电有驱动功率小、无触点、噪音低、抗能力强,吸合、释放时间短、寿命长,能与TTL\CMOS电路兼容,可取代的电磁继电器。双 向:Bi-directional(取个字母)过电压可能晶闸管的击穿,其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施
3:大功率高频可控硅通常用作工业中;高频熔炼炉等。由于在双向可控硅的主电极上,无论加以正向电压或是反向电压,也不管触发是正向还是反向,它都能被触发导通,因此它有以下四种触发:(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压,控制极G对电极Tl所加的也是正向触发(图5a)。双向可控硅触发导通后,电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知,这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的,又因为触发是正向的,所以把这种触发叫做“象限的正向触发”或称为I+触发。(2)如果主电极T2仍加正向电压,而把触发改为反向(图5b),这时双向可控硅触发导通后,通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“象限的负触发”或称为I-触发。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c),输入正向触发,双向可控硅导通后,通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作,因此把这种触发叫做Ⅲ+触发。 (4)两个主电极仍然加反向电压U12,输入的是反向触发(图5d),双向可控硅导通后,通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发。 双向可控硅虽然有以上四种触发,但由于负触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠,因此在实际使用时,负触发应用较多。
dv/dt--断态电压临界上升率双向可控硅