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封装形式编辑IT()--通态平均电流可控硅的主要参数有:对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
规则2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅)。Ic,一般取数十千赫低。
2、关于转换电压变化率过载截止保护 利用过电流的将晶闸管的触发后移,或使晶闸管得导通角减小,或干脆停止触发保护晶闸管。
晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种:通态(峰值)电压 VT M 的选择: 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为可控硅的热损耗,应尽可能选择VT M 小的可控硅。TY300/TY301可控硅调压单元
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
电流
规则3.设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。规则4.为杂波吸收,门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。可控硅
IF()--正向平均电流图片1
3.3:双向二极管阻尼电路。由于二极管是反向串联的,所以它对输入极性不。当负载被电源激励时,电路对负载无影响。当电感负载线圈中电流被切断时,则在电路中有瞬态电流流过,因此就避免了感应电压通过开关接点放电,也就减小了噪声,但是要求二极管的反向电压应比可能出现的任何瞬态电压高。另一个是额定电流值要符合电路要求。A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位,2、控制极有足够的正向电压和电流,两者缺一不可。