IXFN200N10P 德国艾赛斯MOS管 IXFN210N20P 二极管IXYS原装现货
产品价格：￥120（人民币）
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商品详情
FET类型N-CHTechnology SystemMOSFET(Metal Oxide)封装SOT-227B漏源电压200V连续漏极电流188ADrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V源漏开态电阻10.5mOhmVgs(th)4.5 VGate Charge (Qg)255nCVgs (Max)20VInput Capacitance (Ciss)18600pF消耗电力1070W
技术参数
极性N-Channel
耗散功率680000mW
连续漏极电流(Ids)200 A
封装参数
安装方式Chassis
引脚数4
封装ISOTOP
外形尺寸
封装ISOTOP
其他
产品生命周期Active包装方式Tube制造应用Power Management, 照明, Lighting, 电源管理
符合标准
RoHS标准Compliant含铅标准Lead FreeREACH SVHC标准No SVHC
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