简要说明：NP33-12牌的DAFER蓄电池NP33-12/12V33AH阀控密封式铅酸蓄电池产品：估价：电议，规格：NP33-12，产品系列编号：NP33-12

DAFER蓄电池NP33-12/12V33AH阀控密封式铅酸蓄电池

、DAFER蓄电池NP33-12/12V33AH阀控密封式铅酸蓄电池

由于绝缘栅双极晶体管通常与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，因此在数字万用表二极管档，用红表笔接“E”极，黑表笔接“C”极，应有0.4V左右的二极管正向电压降（对于一些没有内置二极管的型号，如GT40T101则没有电压降）。
       对于IGBT管，若G极不加电压，就不形成导电沟道，C-E极电阻很大，因此，将数字万用表置二极管档时，测得C-E为不导通。
       E-C极二极管档测量为续流二极管正向压降0.3V。

DAFER德富力蓄电池，其性能已达到国际先进水平。公司在生产过程中严格遵照ISO9001的质量标准，采用先进的质量控制工艺，在原材料采购、制程控制、出货检测的整个过程中进行严格的质量控制。产品拥有可靠的性能，才获得了ISO9001、UL和CE等国际认证。

DAFER德富力蓄电池产品优势：

•安全性能好：正常使用下无电解液漏出，无电池膨胀及破裂。

•放电性能好：放电电压平稳，放电平台平缓。

•耐震动性好：完全充电状态的电池完全固定，以4mm的振幅，16.7HZ的频率震动1小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。

•耐冲击性好：完全充电状态的电池从20CM高处自然落至1CM厚的硬木板上3次无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。

•耐过放电性好：25摄氏度，完全充电状态的电池进行定电阻放电3星期（电阻只相当于该电池1CA放电要求的电阻），恢复容量在75%以上.

•耐充电性好：25摄氏度，完全充电状态的电池0.1CA充电48小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常，容量维持率在上95%以.

蓄电池应用领域与分类：
◆　免维护无须补液；　　　　　　　　　　● UPS不间断电源；
◆　内阻小，大电流放电性能好；　　　　　● 消防备用电源；
◆　适应温度广；　　　　　　　　　　　　● 安全防护报警系统；
◆　自放电小；　　　　　　　　　　　　　● 应急照明系统；
◆　使用寿命长；　　　　　　　　　　　　● 电力，邮电通信系统；
◆　荷电出厂，使用方便；　　　　　　　　● 电子仪器仪表；
◆　安全防爆；　　　　　　　　　　　　　● 电动工具,电动玩具；
◆　独特配方，深放电恢复性能好；　　　　● 便携式电子设备；
◆　无游离电解液，侧倒仍能使用；　　　　● 摄影器材；
◆　产品通过CE,ROHS认证,所有电池　　　　● 太阳能、风能发电系统；
符合国家标准。　　　　　　　　　　　● 巡逻自行车、红绿警示灯等。 

阀控式密封免维护铅酸蓄电池规格型号参数： 

电池型号		额定电压（V）	容量（Ah)	外观尺寸			端子类型
				长	宽	高
NP24-12		12	24	166	126	174	T4
NP38-12		12	28	197	166	174	T32
NP40-12		12	40	197	166	174	T32
NP65-12		12	65	350	166	179	T9
NP100-12		12	100	407	174	209	T10
NP120-12		12	120	407	174	233	T11
NP150-12		12	150	484	170	240	T46
NP200-12		12	200	522	240	216	T11
NP250-12		12	250	520	268	220	T11
保养周期	保养项目
月度保养	1.全面清洁，保持外壳、端子的干净整洁及排气孔的畅通；   2.检查壳体有无变形，端子是否腐蚀变色，是否漏液；   3.测量和记录环境温度、电池外壳温度和极柱温度；   4.测量和记录电池组的总电压，充电电压发生漂移或环境变化应及时调整充电参数。
季度保养	1.重复月度保养的各项；   2.测量和记录单只电池浮充电压、浮充电流等参数，并及时调整；   3.检查连接部件是否松动，如有松动应紧固螺丝；   4.对电池进行均衡充电，充电时间24H。
年度保养	1.重复季度保养的各项；   2.检查安全阀是否松动，并旋紧，但切勿卸下安全阀；   3.电池组以实际负荷进行一次核对性放电实验，放出额定容量的30%～40%。
三年保养	1.重复年度保养的各项；   2.进行10Hr容量测试，放出额定容量的80%。

厂家提供优质高性能系列铅酸密封免维护电池产品，有以下主要特点：

⑴ 耐腐蚀铅钙锡多元合金 高倍率放电极优 自放电率极低

⑵ 超细玻璃纤维隔膜吸液 无有害气体溢出 低温性能优越

⑶ 高强度A B S树脂外壳 与设备同处安装 不会污染环境

⑷ 全密封不漏液无需加水 安全阀自动开闭 免建蓄电池室

蓄电池售后服务： 

1． 对售出的电池我们建立《顾客档案》，实行跟踪服务。 

2． 电池售出后，实行随时电话跟踪，并执行每年至少一次的彻底巡检，并向顾客报告蓄电池使用情况，让顾客用的放心。 

3． 发生顾客投诉时，一小时内提供解决方案。包括现场恢复方案及退货处理方案，直到顾客满意。宗旨是将客户的麻烦降到最小。 

4． 正常情况下，退回电池在到货两周内出具检测报告，确属我司原因我司承担责任；非我司电池原因，我们出具相应报告，对顾客的使用加以指导 

质保规则：
质量保证期限：视使用方法及使用客户，质保期为三年。
使用说明：铅酸蓄电池长时间放置三个月要为电池补充电量，放置半年让电池充放一次，达到一个循环;使用过 程中，切忌把电放干再充电，对电池影响很大，要 随用随充电，充满为止，但也不要过充、过放电。
包装：为纸箱，根据运输距离可打扎带，可打木箱。 纸箱包装：1只/箱，采用物流长途运输或两箱打一个包 装，节约运输费用。
运输：样品可采用快递方式，批 量货，可采用物流或客车， 部分地区根据长期经销商情况可采用代收款的方 式或预付30%--70%定金，余款代收的方式。
验收：不管采用哪种方式运输货物，请客户和收货人一定在承运单位当事人在场时当场查验收货，查看外包 装，是否破损，变形，是否沾水，小件可拿起来晃动，听听内部是否有配件脱落，用手捏一捏内部是否有 碎屑或裂缝等，确保我们的货物和产品安全到达目的地。若遇到不可抗因素，我们三方可协调解决运输问 题 。
供方责任：
38AH(含38AH)以上蓄电池，质保期为三年，三年出现任何非人为质量问题，免费更换全新的同品牌同型号规格的蓄电池.非人为质量问题包括：运输过程中造成的电池破损、鼓包、漏液、电池电压范围异常、接线端子变形等.
客户责任：
1.客户可凭我公司的采购合同编号，并提供破损蓄电池详细照片，客服通过验证后立即向客户免费派发指定型号的蓄电池.
2.客户在收到更换的全新蓄电池后，请立即将损坏的蓄电池发往供货公司.
亲爱的顾客，感谢您的关注与支持。为了我们能够更好的沟通和拥有愉快的交易，请购物前多花几分钟看看下面的文字，祝您购物愉快！
一：如何订货
①随身手机和QQ等 跟我们联系；
②或电话联系，把您的要求详细描述下！
二：订货前请联系客服
我们严格按照每一位客户的规格，数量及质量要求来发货；请广大客户在购买前能联系在线客服，协商好品牌型号事项。
三：关于价格
本司所有展视商品价格均为参考价，商品的实际价格问题需与我司商议！我司遵守量大从优的原则，给与优惠！
四：关于下单
具体收获方式可以协商。
五：关于发货
我们会在您付款后第一时间为您发货，按买家的支付先后顺序安排发出。发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的，请放心定做。 

郑重声明：本公司所售全部蓄电池保证是原厂原装正品，假一罚十，签订合同，并提供增值税发票，38AH以上出现非人为质量问题三年内免费更换同等型号的全新电池，请广大客户放心采购！ 

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1、IGBT的使用
    (1)驱动保护电路的设计
       驱动电路的设计是决定IGBT能否充分发挥其性能的关键。
       保护电路是保证IGBT在过流和过压等异常情况下避免受到损坏的重要措施，必须在充分了解器件特性的基础上，配合器件的特性进行设计。
    (2)作结温散热设计
       每个IGBT都有既定的最大容许结温(Tj)，在工作时需要控制IGBT的结温不超过这个最大容许结温。一般而言，IGBT需要散热器才能工作，要根据器件的损耗进行散热设计，保证结温Tj不超过容许值。
       首先，需要计算出IGBT在电路中的损耗。IGBT工作时的损耗包括两大部分：一个是IGBT内部晶体管的损耗，另外则是IGBT的反并联二极管上的损耗。
       IGBT内部晶体管的损耗包括IGBT的导通损耗和开关损耗（开关损耗包括开通损耗和关断损耗，软开关电路中这两个损耗可能为零）。二极管上的损耗则包括二极管的导通损耗和二极管的反向恢复损耗。把所有的损耗相加即可得到IGBT工作时的总损耗，选择最大的总损耗进行热设计，IGBT工作时的最大结温可以由下面的热方程得到
    
       式中，P∑为IGBT最大损耗功率；Rthjc为IGBT结到外壳间的热阻；Rthcs为外壳到散热器间的热阻；Rthsa为散热器到周围空间之间的热阻；Ta为外界温度。根据上述公式，确定结温Tj在容许值范围内选择合适的散热器。
     (3)并联连接
       当IGBT模块用于控制大电流时，有时将器件并联使用。器件并联使用时，重要的是在设计时要使并联连接的器件中通过等量的电流。一旦电流失去平衡，有可能由于电流集中流过某单个器件而使该器件损坏。
     (4)保管和使用注意事项
       电力电子设备的保管存放场所，以温度为5～35℃、相对湿度为45%～75%最为适宜。特别是IGBT和功率晶体管等，如果处于非常干燥的区域中，需要用加湿器加湿。再者，如果使用自来水，则由于自来水中所含的氯元素会使电力电子设备的导线生锈，因此需注意使用纯净水或蒸馏水。避开产生腐蚀性气体和尘埃多的场所。
       在温度急剧变化的场所，电力电子设备的表面容易结露，因此要避开此类场所，将其保管在温度变化小的地方。
       临时放置半导体电子设备时，应选择不易产生静电的容器。
     (5)其他
       在模块的端子部位测定驱动电压( UCE)，并确认已外加既定的电压驱动电路端的电压与实际作用在IGBT上的电压，可能有偏差。
       通过产品的端子部位测定开通、关断时的脉冲电压。
       务必在产品的绝对最大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用。一旦超出绝对最大额定值，可能损坏器件。
       IGBT应在功率周期寿命以内使用。
       反偏栅极电压-UGE不足时，可能引起误触发，为了避免误触发，需设定足够的-UGE值（推
荐-15V)。
       如果开通du/dt偏高，则对偏置支路的IGBT可能发生误触发。为了避免误触发，需在最适当的栅极触发驱动(+UGE、-UGE., RG等)条件下使用。
2、IGBT的保护电路
       电力电子电路工作时，由于外部或操作失误等原因，为了保证用电设备和用户的安全，同时将由于非正常运行造成的损失降到最小，需要在电力电子电路中设计保护电路。
       IGBT常用的保护电路有两种：过电流保护和过电压保护。
2.1 过电流保护
       IGBT的过电流往往是由于电路中的短路引起的。当电路中发生短路时，IGBT集电极电流将急剧增加并超过额定值，集电极电流增加也引起IGBT集电极—发射极电压UCE的上升，于是IGBT功率损耗增加。长时间运行于这种状态，将使IGBT的结温超过允许值而烧毁。
       发生短路的原因可能有很多种，下面以一个三相逆变电路为例，介绍常见的短路状态：
    (1)支路短路
       由于电路中IGBT或其反并联二极管损坏造成短路，如图28(a)所示。
    (2)桥路直通短路
       由于控制电路、驱动电路故障或干扰引起的开关误动作造成同一桥臂上下两个IGBT同时导通，如图28(b)所示。
    (3)输出短路
       由于装配失误或负载绝缘损坏造成短路，如图28(c)所示。
    (4)接地短路
       由于配线等人为失误造成接地短路，如图28(d)所示。
2.2 过电流保护方法
       为了实现过电流保护，需要进行过电流状态检测。对IGBT而言，常用的过电流检测方法有两种：

       电流传感器检测法与IGBT的饱和压降检测法。
    (1)电流传感器检测法
       通过在电路中加入电流传感器，通过检测电路中的电流，判断IGBT是否过电流。通过此方法可以对电路的各种短路状态进行检测和区分，从而根据不同的短路状态采取不同的保护策略，减小由于电路异常所造成的损失。
       另外，如果过快地关断IGBT中的过电流，将引起集电极与发射极之间发生过电压，造成IGBT损坏。因此，在检测出过电流以后，必须采取一定的策略关断IGBT，使关断过程落在反向偏置安全工作区(RBSOA)内，即采取所谓“柔性关断”。
    (2)IGBT的饱和压降检测法
       IGBT过电流时的饱和压降UCE(sat)比正常工作时要高。
       图29是采用间接电压法的过流保护电路，它是应用IGBT过流时UCE值增大的原理来检测IGBT的过流现象。M57959AL驱动器内部电路能很好地完成软关断功能。电路中含有过电流信息的UCE经快速恢复二极管VD2检测，直接送至M57959AL的集电极电压监测端子l，8脚输出；通过U2光电耦合器，送到比较器U1A正相端与反相端的基准电压比较后输出，关断驱动信号。如果发生过流现象，驱动器M57959AL的低速切断电路慢速关断IGBT，以避免集电极因过大的di/dt形成的过电压尖峰脉冲损坏IGBT，同时也降低了干扰噪声电平。
       目前，大多数IGBT的专用驱动芯片内置了类似的保护电路。
2.3 过电压保护
       这里所讲述的过电压保护特指IGBT关断时的浪涌电压抑制，不涉及具体电路中由于输入、输出或操作失误等引起的过电压而需要设计的保护电路。
       因为IGBT的关断速度很快，IGBT关断或其反并联二极管反向恢复时会产生很高的di/dt，由于IGBT内部引线或外部导线寄生电感的存在，引起很高的Ldi/dt电压，即关断浪涌电压。当这个电压超过IGBT的正向耐压值时，将造成IGBT过电压击穿而损坏。

      常用的抑制IGBT关断浪涌电压的方法有以下几种：
      (1)在IGBT上安装缓冲电路，在缓冲电路中使用可以吸收高频浪涌电压的薄膜电容器；
      (2)调整IGBT驱动电路中的关断偏置电压-UCE和驱动栅极电阻RG，减小关断时的di/dt；
      (3)降低主电路和缓冲电路中的引线电感，尽量使用更粗、更短的导线；另外，使用平板配线（分层配线）方式也可以有效地降低引线电感。
      IGBT的缓冲电路有两种配置方法：一种是为每个IGBT单独配置的缓冲电路；另一种是为多个IGBT安装一个集中式的缓冲电路。
      常用的单独配置缓冲电路有RC缓冲电路、充放电型RC-VD缓冲电路和放电阻止型RC-VD缓冲电路。
      RC缓冲电路如图30所示。在IGBT的集电极和发射极之间并联一个RC串联支路，适用于斩波电路中。但是RC串联支路在IGBT开通时将通过IGBT进行放电，使得IGBT开通时电流增加，额外增加了IGBT负载；另外，RC缓冲电路中，每次关断以后存储在电容上的电能都将以热的形式消耗掉，它的损耗较大，不适合高频应用。RC缓冲电路的损耗为

      式中：Csunber，为缓冲电路电容；Ud为IGBT截止时所承受的正向压降；fs为开关频率。
      式中：L为主电路寄生电感；Ic为IGBT关断时的集电极电流；Cs为缓冲电容值；Ud为直流电压； fs为开关频率。
      放电阻止型RC-VD缓冲电路结构如图32所示。适合于对同一个桥臂两个IGBT浪涌电压的吸收。它能有效地消除IGBT关断时的浪涌电压，而且缓冲电路的损耗相对前面两种缓冲电路要小，也适合于高频应用场合。它的损耗可以由下面的公式计算得到

      式中：L为主电路寄生电感；Ic为IGBT关断时的集电极电流；fs为开关频率。
      集中式缓冲电路适合于多个IGBT同时使用的场合，如图33所示。在该图中，通过在一个全桥逆变器的两个