东芝宣布兴建第7座NANDFlash工厂

    2017年是NANDFlash闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。所以，当前全球的4大NANDFlash厂商，包括三星、Intel/美光、东芝、SK海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出70亿日圆的金额，准备兴建第7座闪存工厂(Fab7)，地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。

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    事实上，目前东芝的第6座工厂(Fab6)正在建设当中，预计将于2018年第4季完工。不过，面对市场的强烈需求，东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。因此，东芝在21日宣布，将投资70亿日圆用于Fab7厂的兴建，选址就位于日本四日市。日前，东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和，达成协议。未来东芝需要威腾电子的数据提供，以使得2018年的新先进芯片生产线进行投产，以此竞争对手和三星、Intel、及SK海力士竞争。

    报导进一步指出，目前数据中心和企业服务器强劲NANDFlash闪存需求，已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。而且，其他NANDFlash闪存供货商，包括了三星与SK海力士在2017年都宣布完成或开始新厂建造计划。

    目前，东芝主要以生产64层堆栈的V-NAND闪存为主，未来计划在下一步升级到94层V-NAND闪存生产。而除了TLC规格之外，也将还会有特别的QLC规格产品，目的就是为了加强产品的渗透力以提升市场竞争力。

    而对于将兴建Fab7厂，东芝预计在2018年2月完成新厂的土地的收购作业，同时会下单建筑材料和基础设备。据了解，东芝还将根据市场趋势，成立东芝储存岩手县公司，以管理工厂的建设和运营。整体厂房兴建计划将在2018年底前完成，2019年之后逐步安装设备，并且在年底前开始生产。