梁孟松加入后！中芯14纳米FinFET制程良率达95%

    根据供应链传出的消息，中国大陆最大的晶圆代工厂中芯国际，目前最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%的水准。因此，距离2019年正式量产的目标似乎已经不远了。

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    据了解，根据中芯国际最新的财报显示，目前中芯国际最先进的制程为28纳米。但是以2018年第1季的财报数字来看，28纳米占其营收不过3.2%，相较联电、英特尔等先进制程发展较慢的厂商来说，落后的一个世代以上，更罔论与先进制程开发进度较快的台积电、格罗方德、三星等企业已经准备切入7纳米制程相较，更是足足落后3个世代以上。

    为了追赶这样的落差，中芯国际不但在2017年底延揽三星电子及台积电的前高层梁孟松来担任联席首席执行长的职务，主要就是希望藉由他过去的经验，指导中芯国际在发展14纳米FinFET制程上的进程，使中芯国际的14纳米FinFET制程能在2019年达成量产的目标之外，还在2018年初宣布，将联同两大政府产业基金共同投资102.4亿美元，以加快14纳米及以下先进制程研发和量产计划，最终达成每月量产3.5万片的目标。如今，在中芯国际的14纳米FinFET制程达到良率95%的情况下，等于是向目标又迈进了一大步。

    针对外界询问梁孟松加入中芯国际的最大任务，众所皆知是高阶制程技术的进度。中芯表示，将在2019年量产14纳米FinFET制程技术。意即，梁孟松要用两年的时间，帮中芯国际把14纳米FinFET制程世代追上来，业界认为，很挑战，但不是不可能，因为已经准备很久了，很期待，也会持续关注。

    对于中芯国际来说，2018充满挑战，能否沉淀后“振翅高飞”，就看14nm先进制程的研究结果了。