福州智能IXYS二极管模块信赖推荐MCD40-16io6MCC21-14io8B

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图4示出了双向可控硅的特性曲线。当负载电流增大，电源的或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况易在感性负载的情况下发生，很容易器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。3.1：为防止或减小噪声，对于移相控制式交流调压一般的处理有电感电容滤波电路，阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电路。

特点及应用编辑产品分类编辑

常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等过载截止保护 利用过电流的将晶闸管的触发后移，或使晶闸管得导通角减小，或干脆停止触发保护晶闸管。

不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

，可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发，电阻值应为十欧左右，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态。

IGT--门极触发电流

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 （三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

3.2：电感电容滤波电路，由电感电容构成谐振回路，其低通截止为f=1/2π双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后，接在晶闸管电路中的一种过电压保护，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。

鉴别编辑

可控硅有多种分类。2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
在有电噪声的中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。综上所述，小结如下: