辽阳口碑好IXYS二极管模块品牌企业MDD200-08N1 MCC162-08io1

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可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。图片1不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。双向可控硅

电流的确定： 由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时， 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。TY300/TY301可控硅调压单元

2、关于转换电压变化率IT()--通态平均电流

dv/dt--断态电压临界上升率应用类型

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。规则2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅）。

(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。

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 PG----门极平均功率

Ic，一般取数十千赫低。通态(峰值)电压 VT M 的选择： 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为可控硅的热损耗，应尽可能选择VT M 小的可控硅。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受而误导通。IGT--门极触发电流

TY300/TY301可控硅调压单元
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后，接在晶闸管电路中的一种过电压保护，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。