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　　如何判断IGBT极性及测量IGBT好坏IGBT极性判断对IGBT进行检测时，应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1kΩ档，用万用表测量各极之间的阻值。若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则此极为栅极G。　　肖特基二极管是什么。和普通二极管有什么区别。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管，是一种低功耗，超高速的半导体器件。肖特基二极管的特点是正向压降较小，仅0.4V左右。肖特基二极管和PN结二极管在结构原理上有着很大的区别。　　众所周知，高功率密度、高压、大电流IGBT功率模块是逆变器里核心的部件，它的功率密度越高，电力驱动的设计则越紧凑，在相同体积下就能发挥更大功率。由于SiC器件电流密度高(如Infineon产品可达700A/cm2)，在相同功率等级下，全SiC功率模块的封装尺寸显著小于SiIGBT功率模块，大大减小了功率模块的体积。　　IGBT模块使用注意事项IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合了功率MOSFET的工艺，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。具有开关高、输入阻抗较大、热性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，因此，广泛应用于工业控制、电力电子等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。

　　图一.第7代X系列的芯片和第6代V系列的芯片的剖面图第7代X系列IGBT采用了极薄的晶元制造（更薄的漂移层）和细微的沟槽栅结构，使导通电压和开关损耗进一步，从而使得它在损耗方面的比我们第六代V系列IGBT有了突飞猛进的进步。　　如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。

　　其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向晶闸管可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态器电路中。　　其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。构造原理尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。

　　比如在测量一种超快恢复二极管的时候，要先了解它的主要参数，这个还需要把万用表拨到的档位，并读出正向的电阻的数值，对于反向的电阻值，则是无穷大的，如果能够进一步的它的VF值的话，那么这说明这个快恢复二极管是非常好的。　　二极管正负极色环标示：二极管在鉴别上较为简单，功率较小的二极管在N极（也就是说负极处），外表层通常选用色环标示，此外，有的二极管会采用常用符 P跟N代表正（P）负（N）极。假如是发光二极管，则按照二极管引脚长短来鉴别二极管的正负极，长引脚为正，短引脚为负。

鉴于目前厂家对IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大。　　如果触发特性相差太大的可控硅在串联运行时将引起正向电压无法平均分配，使tgt较长的可控硅管受损，并联运行时tgt较短的可控硅管将分配更大的电流而受损，这对可控硅器件是不利的。所以同一臂上串或并联的可控硅触发电压、触发电流要尽量一致，也就是配对使用。

　　在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。一、可控硅的概念和结构。晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。

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 　　2、过流保护可控硅晶闸管在短时间内具有一定的过流能力，但在过流情况严重时，如不采取保护措施，就会造成可控硅晶闸管的损坏。产生过电流的原因主要分为两种，一种是整流器内部电路的原因，如：整流晶闸管因过电压被击穿而损坏，从而失去正、反向能力；触发电路或控制出现故障等一系列原因。

　　飞思卡尔等MCU（微控制器）厂商同样也没闲着，数款多核微控制器产品纷纷高调问世。有了芯片厂商、厂商、终端厂商，以及消费者四方的全力支持，相信2008年“多核”的“热”度定会有增无减。据，全球屏的销售收入将从2006年的24亿美金上升到2012年的44亿。　　展望未来，触控屏将成为人机互动的之一，到任何地方均可发现到它的踪影，成为人类日常生活不可或缺的一部分。指数：★★★Linux一经问世便在市场中占据了一席之地，因其开放性而大获广大人员的青睐。　　可控硅原理和种类一、可控硅的概念和结构晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。从晶闸管的电路符 〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管不同的工作特性。

　　以J1系列功率模块为例,针对纯电动、插电式混动、普通混动等细分车型,J1系列产品线覆盖650V至1200V不同电压等级,适合于小、中、大三类不同功率等级的新能源车用。改良封装,缩减模块体积电力电子的不断进步使得功率模块朝着多功能化、小型化与低成本的方向发展。　　■IGBT在电动车里干什么。■IGBT有点贵，并且长期被外国供应商垄断据悉，IGBT约占电机驱动成本的一半，而电机驱动占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。

　　然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。　　3、可控硅模块的结构重复性非常好，它的装置的机械设计是可以进行简化的，价格却是比其他的分立器件要低的多，因此，自从它进入市场之后，就受到了广大用户的喜爱，并由此了长远的发展，目前的应用范围是非常广的。
　　可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，且快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有可控硅的身影。可控硅分为单向的和双向的，符 也不同。　　随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。