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  我认为，Novellus被接管的已经成熟。预期TokyoElectron会角逐Novellus。对于期待已久的Lam-Novellus合并，那是不可能发生的，忘记它吧。Lam刚刚收购了SEZ。因此，那告诉我晶圆清洗行业拥挤的情况已经出现。Akrion、FSI可能是被收购的目标。  IGBT模块失效有哪些原因。保护有哪些。IGBT模块失效其主要原因是集电极和发射极的过压或过流，以及栅极的过压或过流。外界或自身损坏都能引发上述原因，如：电力分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变等一些内部所引发的过电流、过电压；波动、电力线感应、浪涌等外界的。  现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。  在半导体芯片的结温Tvj反复上升下降的使用条件下，会重复施加热应力至芯片上方的绑定线和芯片下方焊接部分，劣化。Tvj越高，劣化的进展速度越快。通过绑定线的直径和长度、新的度焊锡，在Tvj,max=150℃、ΔTvj=50℃条件下，第7代是第6代寿命的2倍。

  2、单台炉子温控体系选用的是一对一作业形式，每一套温控体系主电路分别由空开、交流器、快速熔断器、KY3000一体化智能三相可控硅调压器（带散热器、冷却电扇），冷却电扇及有关检测和保护电路构成；每台炉子?。  现在，就让您随我们一起穿越时空，看看究竟是谁在2007如此炙手可热。仔细看了一下，的结果是Intel的多核专题，而Google的结果讲的是则是AMD的多核专题。这两位“双核”的“真假”在搜索引擎上狭路相逢了。

  究其原因，主要还是使用能力不足。”许晓军解释说，“这也是泰科之所以致力于RFID服务的原因。”许晓军表示，要布署一项RFID项目，前期规划导入时的工作非常重要。方案供应商不仅要了解客户的真实需求，还要在工程、制造、设施等方面综合考虑，后才是集成。  G中的PA可进行调节，设定输出功率，并且不得发射带外信 （这要求严格控制功率的变化斜率，避免产生带外噪声）。此外，需要PA只在其自身的时隙内进行发射，这同样要求严格控制功率的变化斜率。如果功放开环工作，又无法提供上述控制时，则很难达到G的规范要求。

  与其他行业相比，是元器件行业（以及整个IT行业）的影响因素。这其中的根本原因是创造了新需求，同时也不断淘汰了旧的需求，比如从录音机到CD机再到MP3的演进。通过，新的产品使元器件的应用面极大拓展，当新产品逐渐趋于成熟、市场趋于饱和，而后续的进步如果没有跟上，则产业呈现周期性特征。  据统计，今年1~10月份，已生产半导体分立器件1,995亿只，同比增长12.0%，产品销售收入同比增长20.0%，达720亿元。预计到今年年底，产量可达2,500亿只左右，产品销售收入可达865亿元，从2004~2007年，本地半导体分立器件产品销售收入年复合增长率达27.8%。

  2006年是电子元器件行业充满不确定因素的一年。一方面，行业的步伐被大大的延后，微软的新操作Vista被到年底发布，3G的推出又一次推迟，索尼PS3的推出也到年底，这对行业的需求产生严重影响。另一方面，原材料价格不断上涨，使得行业利润水平受到不同程度的影响。  刚才提到的就是在选择各种类型的二极管模块选型的时候需要注意的地方，只要了解每种二极管的特点就可以很好的完成选型，而且还要注意选择比较的品牌才行，好的品牌旗下的二极管模块有保障而且，所以使用效果更好。

  而一般变流器工作时，各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170℃导通角上工作，通常是少于这一角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些，一般应为其正常电流平均值的1.5-2.0倍。可见开通时间tgt与可控硅门极的可触发电压、电流有关，与可控硅结温，开通前阳极电压、开通后阳极电流有关，普通可控硅的tgt10μs以下。

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  雪崩失效简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等电压叠加在MOSFET漏源之间，电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度，从而使MOSFET失效的一种常见失效。因此，从电压来考虑，就能有效的预防雪崩失效了。

  可控硅模块也叫做功率半导体模块，它是根据模块的原理进入到电子电力的领域的，采用的是模块的封装，同时还要三个四层结构的大功率的半导体器件，就给大家具体介绍下可控硅模块的特点有哪些。1、可控硅模块的分类。  测量整流器中的二极管，除了将其拆下单个，也能直接对其进行。首先，将设备正常通上交流电，万用表调至交流电压档，根据整流器电压范围选择的档位，将红色表笔连接二极管正极，黑色表笔连接二极管负极，测出交流电压值；再将红、黑表笔调换，测得另一个交流电压值。  同样将万用表电阻调至R×1Ω档，黑色表笔连接第二阳极A2，红色表笔连接阳极A1，此时万用表指针应不动，阻值为∞；在黑色表笔不离开第二阳极A2的同时，用笔尖短接控制极G极，同时给G极加正向触发电压，此时阳极A1和第二阳极A2之间的阻值应为10Ω左右。

式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。  图6：左：VDC≤900V，1/10·Inom且TJ=25°C时，E与三种研究FS设计的开关曲线。右：与E相比，不同FS设计的VR。为了研究FS设计和性能之间的影响，本文对三种设计的开关曲线展开了分析。图6显示了基于三种不同设计的新的二极管与E相比的二极管恢复特性。

  因此，我们仅对FS设计1分析到VDC=800设计2提供的开关特性几乎与参考器件一致。它出现了较小的Vpeak，仅在拖尾电流中发生关断振荡。关断振荡的幅度也与参考器件相当。FS设计3展示出了出色的开关性能，而且要比参考器件更好。  如果触发特性相差太大的可控硅在串联运行时将引起正向电压无法平均分配，使tgt较长的可控硅管受损，并联运行时tgt较短的可控硅管将分配更大的电流而受损，这对可控硅器件是不利的。所以同一臂上串或并联的可控硅触发电压、触发电流要尽量一致，也就是配对使用。
  （2）、参数设定方便直观。经过机或屏上相应的参数设置界面，可以直观地对每一套体系控制参数进行设置和操作。（3）、工艺曲线图形化设置、办理与操作是本体系设计的一大特征。经过机或屏上相应的工艺参数设置界面，可预先设置10条以上工艺参数曲线，实际应用时，操作人员只需选择与处理资料相对应的工艺参数曲线，即可完结一切有关参数的设定和更新。  控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么才能使导通的晶闸管关断呢使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的值(称为维持电流)。