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另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。 [5]

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命名规则编辑招商N350CH10 右图给出自耦式12脉冲变压整流器，变压器用于产生满足整流器要求的两组三相电压，两组三相电压（Va''，Vb''，Vc''）与(Va'，Vb'，Vc')分别超前与滞后于输入三相电压15°，两组三相电压输出分别连接到整流桥1和整流桥2，整流桥输出通过平衡电抗器并联后，直接输出到负载。如上所述，自耦变压整流器产生了两组三相电压，所有电压经整流桥通过平衡电抗器并联输出到负载，整流后的输出电压为任意时刻线电压最大值，二极管按照相应线电压的矢量切换次序导通。SKKT253/18E

MDD162-16N1 TT25N18KOF

敞开式熔断器结构简单,熔体完全暴露于空气中,由瓷柱作支撑，没有支座，适于低压户外使用。分断电流时在大气中产生较大的声光。FF800R12KL4C

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。图片1

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。 [5] 170M4211 170M4212 170M4517 170M4518 170M4519 170M4558 170M4559 170M4560 英飞凌