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从这里可以看出,熔断器的短路保护性能优秀,过载保护性能一般。如确需在过载保护中使用,需要仔细匹配线路过载电流与熔断器的额定电流。例如:8A的熔体用于10A的电路中,作短路保护兼作过载保护用,但此时的过载保护特性并不理想。
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二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 [4] 供应N560CH40 测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 [8] SKKD46/12
MDD72-16N1B在有电噪声的环境中,如果栅极上的噪声电压超过VGT,并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈,则也会被触发导通。T2156N26TOF
IRRM--反向重复峰值电流将万用表置于相应的直流电压挡,测试电压由兆欧表提供。 [8]
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。170M6008 170M6009 170M6010 170M6011 170M6012 170M6013 170M6014 170M6015ABB