供应西屋 1C31194G01 输入模块 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1),提供高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)让设计人员能够实现在高温高压下稳定运行、同时由SiC赋能高能效的设计。
安森美执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton说:“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率损耗,加强了我们EliteSiC系列产品在性能和品质方面的高标准,同时也进一步扩大了安森美EliteSiC的深度和广度。加上我们的端到端SiC制造能力,安森美提供的技术和供货保证可以满足工业能源基础设施和工业驱动提供商的需求。”