施耐德TCSESPU093F2CU0

尽管本文所讨论的原理适用于广泛的电源设计，但我们在此只关注直流到直流的转换器，因为它的应用相当广泛，几乎每一位硬件工程师都会接触到与它相关的工作，说不定什么时候就必须设计一个电源转换器。本文中我们将考虑与低电磁干扰设计相关的两种常见的折中方案;热性能、电磁干扰以及与PCB布局和电磁干扰相关的方案尺寸等。文中我们将使用一个简单的降压转换器做例子。

施耐德TCSESPU093F2CU0

在频域内测量辐射和传导电磁干扰，这就是对已知波形做傅里叶级数展开，本文中我们着重考虑辐射电磁干扰性能。在同步降压转换器中，引起电磁干扰的主要开关波形是由Q1和Q2产生的，也就是每个场效应管在其各自导通周期内从漏极到源极的电流di/dt。图2所示的电流波形(Q和Q2on)不是很规则的梯形

施耐德TCSESPU093F2CU0

UNYSPUXZUCD70
UNYSPUXZGCD70
UNYSPUXZTCD70
UNYSPUZFUCD80
TLXCDSUOFS36
TLXCDSTOFS36
TLXCDLUOFS36
TLXCDLTOFS36
TLXCDLFOFS36
TSXMRPC007MC
TCSESU033FN0
TCSESU053FN0
TCSESU043F1N0
TCSESU051F0
TCSESU083FN0
TCSESSU083FN0
TCSESPU053F1CU0
TCSESPU053F1CS0
TCSESPU083FN0
TCSESPU093F2CU0
TCSESPU093F2CS0
TCSESU103F2CU0
TCSESU103F2CS0
TCSESL043F23F0
TCSESB083F23F0
TCSESB083F2CU0
TCSESB093F2CU0
TCSEAM0200
TCSESM043F1CU0
TCSESM043F1CS0
TCSESM043F23F0
TCSESM043F2CU0
TCSESM043F2CS0
TCSESM063F2CU1
TCSESM063F2CU1C
TCSESM063F2CS1
TCSESM063F2CS1C
TCSESM083F1CU0
TCSESM083F1CS0
TCSESM083F23F0
TCSESM083F23F1
TCSESM083F23F1C
TCSESM083F2CU0
TCSESM083F2CS0
TCSESM103F23G0
TCSESM103F2LG0
TCSEAAF1LFU00
TCSEAAF1LFS00
TCSEAAF1LFH00
TCSESM163F23F0
TCSESM163F2CU0
TCSESM163F2CS0
TCSESM243F2CU0
TCSEAM0100
TCSEFEC23F3F21
TCSEFEC23FCF21
TCSEFEA23F3F22
TCSEFM0000
TCSEFM0001
TCSEGPA23F14F
TCSEGPA23F14FK
TCSEGDB23F24FA