型号：DMP4065S-7

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A（Ta）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）80 毫欧 @ 4.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）3V @ 250?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）12.2nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）587pF @ 20V

FET 功能-

功率耗散（值）720mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    

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