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产品参数 | |||
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品牌 | 英飞凌infineon | ||
种类 | IGBT 模块 | ||
批号 | 20+ | ||
制造商 | Infineon | ||
配置 | Dual | ||
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V | ||
集电极—射极饱和电压 | 2.15 V | ||
在25 C的连续集电极电流 | 75 A | ||
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA | ||
Pd-功率耗散 | 395 W | ||
最小工作温度 | - 40 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
封装 | Tray | ||
系列 | Trenchstop IGBT4 - T4 | ||
栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
单位重量 | 160 g | ||
可售数量 | 999 | ||
616777930 | |||
微信 | bm7659 | ||
官网 | http | //www.bami-power.com | |
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | FF75R12RT4 |
英飞凌IGBT模块,基本参数、型号FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模块,产品型号齐全,IGBT模块精工设计,内在质量优良,外形美观耐用,安装操作方便,原厂正规授权,正品保证。英飞凌IGBT模块本公司长期备有大量现货库存,坚持以“品质保证、现货经营、薄利多销、服务至上”的经营理念向客户提供优质的服务。