.jpg "IXDN75N120德国IXYS艾赛斯SOT-227IGBT模块全新供应")
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 1000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | IGBT 晶体管 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 配置 | Single Dual Emitter | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 系列 | IXDN75N120 | ||
| 集电极最大连续电流 Ic | 150 A | ||
| 高度 | 9.6 mm | ||
| 长度 | 38.2 mm | ||
| 宽度 | 25.07 mm | ||
| 集电极连续电流 | 150 A | ||
| 单位重量 | 30 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | IXDN75N120 | ||
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技术参数
| 品牌： | IXYS |
| 型号： | IXDN75N120 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 23 |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | IXYS |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | SOT-227B-4 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 配置： | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.2 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 系列： | IXDN75N120 |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 150 A |
| 高度： | 9.6 mm |
| 长度： | 38.2 mm |
| 宽度： | 25.07 mm |
| 集电极连续电流： | 150 A |
| 单位重量： | 30 g |
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