IXFN100N65X2德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
IXFN100N65X2德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
产品价格:¥130.00(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:福建省厦门市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:厦门屹宏电子科技有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌IXYS
      封装标准封装
      批号23
      数量1000
      制造商IXYS
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格Chassis Mount
      封装 / 箱体SOT-227-4
      通道数量1 Channel
      晶体管极性N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压650 V
      Id-连续漏极电流78 A
      Rds On-漏源导通电阻30 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压3.5 V
      Qg-栅极电荷183 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散595 W
      配置Single
      通道模式Enhancement
      系列650V Ultra Junction X2
      晶体管类型1 N-Channel
      正向跨导 - 最小值40 S
      下降时间13 ns
      上升时间26 ns
      典型关闭延迟时间90 ns
      典型接通延迟时间37 ns
      单位重量30 g
      可售卖地全国
      型号IXFN100N65X2


      技术参数

      品牌:IXYS
      型号:IXFN100N65X2
      封装:标准封装
      批号:23
      数量:1000
      制造商:IXYS
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:Chassis Mount
      封装 / 箱体:SOT-227-4
      通道数量:1 Channel
      晶体管极性:N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压:650 V
      Id-连续漏极电流:78 A
      Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V
      Qg-栅极电荷:183 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:595 W
      配置:Single
      通道模式:Enhancement
      系列:650V Ultra Junction X2
      晶体管类型:1 N-Channel
      正向跨导 - 最小值:40 S
      下降时间:13 ns
      上升时间:26 ns
      典型关闭延迟时间:90 ns
      典型接通延迟时间:37 ns
      单位重量:30 g
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