南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
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    商品详情

      南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管

      南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管

      南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管


      描述

      NP2300采用先进的沟槽技术

      提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高

      超低导通电阻密度电池设计。这

      该装置适合用作负载开关或PWM

      应用。

      一般特征

      ? VDS=20V,ID=5A RDS(开)(典型)=3200万? @VGS=2.5V

      RDS(开启)(典型)=2600万? @VGS=4.5V

      ? 高功率和电流处理能力

      ? 获得无铅产品

      ? 表面贴装封装

      应用

      ? PWM应用

      ? 负荷开关

      包裹

      ? SOT-23

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