南麟NP3400 30V N沟道增强型MOSFET管
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产品价格:¥0.2(人民币)
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      30V N沟道增强型MOSFET

      30V N沟道增强型MOSFET

      30V N沟道增强型MOSFET


      描述 NP3400B采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS(上) ?五世 低栅极电荷和高 超低导通电阻的密度单元设计。这 器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。 一般特征 DS =30V,ID R =5A DS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V RDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS ?高功率和电流处理能力 =4.5V 收购?无铅产品 ?表面贴装封装 应用 ? PWM应用 ?负荷开关

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