伊顿UPS电源价格

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EMC问题来源
所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化，有时变化速率还相当快，这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量，而相应的电路则会将这种能量发射到周围的环境中。
EMI有两条途径离开或进入一个电路：辐射和传导。信号辐射是藉由外壳的缝、槽、开孔或其它缺口泄漏出去；而信号传导则藉由耦合到电源、信号和控制在线离开外壳，在开放的空间中自由辐射，从而产生干扰。
很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现，大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽：从源头处降低干扰；藉由屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标，这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言，采用屏蔽材料是一种有效降低EMI的方法。如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用，从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。无论是金属还是涂有导电层的塑料，一旦设计人员确定作为外壳材料之后，就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率
可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，计算公式为
SEdB=A+R+B
其中 A：吸收损耗(dB) R：反射损耗(dB) B：校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)
一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至初的十分之一，即SE等于20dB；而有些场合可能会要求将场强降至为初的十万分之一，即SE要等于100dB。
吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式为
AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t
其中 f：频率(MHz) μ：铜的导磁率 σ：铜的导电率 t：屏蔽罩厚度
反射损耗(近场)的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。对于杆状或直线形发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变化(恒为377)。
相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离超过波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定在377处。
反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不仅取决于波的类型，而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。
近场反射损耗可按下式计算
R(电)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]
其中 r：波源与屏蔽之间的距离。
SE算式后一项是校正因子B，其计算公式为
B=20lg[-exp(-2t/σ)]
此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况。由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，表示屏蔽效率的下降情况。
EMI抑制策略
只有如金属和铁之类导磁率高的材料才能在极低频率下达到较高屏蔽效率。这些材料的导磁率会随着频率增加而降低，另外如果初始磁场较强也会使导磁率降低，还有就是采用机械方法将屏蔽罩作成规定形状同样会降低导磁率。综上所述，选择用于屏蔽的高导磁性材料非常复杂，通常要向EMI屏蔽材料供货商以及有关咨询机构寻求解决方案。
在高频电场下，采用薄层金属作为外壳或内衬材料可达到良好的屏蔽效果，但条件是屏蔽必须连续，并将敏感部份完全遮盖住，没有缺口或缝隙(形成一个法拉第笼)。然而在实际中要制造一个无接缝及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多个部份进行制作，因此就会有缝隙需要接合，另外通常还得在屏蔽罩上打孔以便黏着与附加卡或装配组件的联机。
设计屏蔽罩的困难在于制造过程中不可避免会产生孔隙，而且设备运行过程中还会需要用到这些孔隙。制造、面板联机、通风口、外部监测窗口以及面板黏着组件等都需要在屏蔽罩上打孔，从而大大降低了屏蔽性能。尽管沟槽和缝隙不可避免，但在屏蔽设计中对与电路工作频率波长有关的沟槽长度作仔细考虑是很有好处的。
任一频率电磁波的波长为: 波长(λ)=光速(C)/频率(Hz)
当缝隙长度为波长(截止频率)的一半时,RF波开始以20dB/10倍频(1/10截止频率)或6dB/8倍频(1/2截止频率)的速率衰减。通常RF发射频率越高衰减越严重，因为它的波长越短。当涉及到高频率时，必须要考虑可能会出现的任何谐波，不过实际上只需考虑一次及二次谐波即可。
一旦知道了屏蔽罩内RF辐射的频率及强度，就可计算出屏蔽罩的大允许缝隙和沟槽。例如如果需要对1GHz(波长为300mm)的辐射衰减26dB,则150mm的缝隙将会开始产生衰减，因此当存在小于150mm的缝隙时，1GHz辐射就会被衰减。所以对1GHz频率来讲，若需要衰减20dB，则缝隙应小于15 mm(150mm的1/10)，需要衰减26dB时，缝隙应小于7.5 mm(15mm的1/2以上)，需要衰减32dB时，缝隙应小于3.75 mm(7.5mm的1/2以上)。
可采用合适的导电衬垫使缝隙大小限定在规定尺寸内，从而实现这种衰减效果。
屏蔽设计难点
由于接缝会导致屏蔽罩导通率下降，因此屏蔽效率也会降低。要注意低于截止频率的辐射其衰减只取决于缝隙的长度直径比，例如长度直径比为3时可获得100dB的衰减。在需要穿孔时，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波导特性；另一种实现较高长度直径比的方法是附加一个小型金属屏蔽物，如一个大小合适的衬垫。上述原理及其在多缝情况下的推广构成多孔屏蔽罩设计基础。
多孔薄型屏蔽层：多孔的例子很多，比如薄金属片上的通风孔等等，当各孔间距较近时设计上必须要仔细考虑。下面是此类情况下屏蔽效率计算公式
SE=[20lg (fc/o/σ)]-10lg n 其中 fc/o：截止频率 n：孔洞数目
注意此公式仅适用于孔间距小于孔直径的情况，也可用于计算金属编织网的相关屏蔽效率。
接缝和接点：电焊、铜焊或锡焊是薄片之间进行永久性固定的常用方式，接合部位金属表面必须清理干净，以使接合处能完全用导电的金属填满。不建议用螺钉或铆钉进行固定，因为紧固件之间接合处的低阻接触状态不容易长久保持。
导电衬垫的作用是减少接缝或接合处的槽、孔或缝隙，使RF辐射不会散发出去。EMI衬垫是一种导电介质，用于填补屏蔽罩内的空隙并提供连续低阻抗接点。通常EMI衬垫可在两个导体之间提供一种灵活的连接，使一个导体上的电流传至另一导体。
封孔EMI衬垫的选用可参照以下性能参数： ．特定频率范围的屏蔽效率 ．黏着方法和密封强度 ．与外罩电流兼容性以及对外部环境的抗腐蚀能力。 ．工作温度范围 ．成本
大多数商用衬垫都具有足够的屏蔽性能以使设备满足EMC标准，关键是在屏蔽罩内正确地对垫片进行设计。
垫片系统：一个需要考虑的重要因素是压缩，压缩能在衬垫和垫片之间产生较高导电率。衬垫和垫片之间导电性太差会降低屏蔽效率，另外接合处如果少了一块则会出现细缝而形成槽状天线，其辐射波长比缝隙长度小约4倍。
确保导通性首先要保证垫片表面平滑、干净并藉由必要处理以具有良好导电性，这些表面在接合之前必须先遮住；另外屏蔽衬垫材料对这种垫片具有持续良好的黏合性也非常重要。导电衬垫的可压缩特性可以弥补垫片的任何不规则情况。
所有衬垫都有一个有效工作小接触电阻，设计人员可以加大对衬垫的压缩力度以降低多个衬垫的接触电阻，当然这将增加密封强度，会使屏蔽罩变得更为弯曲。大多数衬垫在压缩到原来厚度的30%至70%时效果比较好。因此在建议的小接触面范围内，两个相向凹点之间的压力应足以确保衬垫和垫片之间具有良好的导电性。
另一方面，对衬垫的压力不应大到使衬垫处于非正常压缩状态，因为此时会导致衬垫接触失效，并可能产生电磁泄漏。与垫片分离的要求对于将衬垫压缩控制在制造商建议范围非常重要，这种设计需要确保垫片具有足够的硬度，以免在垫片紧固件之间产生较大弯曲。在某些情况下，可能需要另外一些紧固件以防止外壳结构弯曲。
压缩性也是转动接合处的一个重要特性，如在门或插板等位置。若衬垫易于压缩，那么屏蔽性能会随着门的每次转动而下降，此时衬垫需要更高的压缩力才能达到与新衬垫相同的屏蔽性能。在大多数情况下这不太可能做得到，因此需要一个长期EMI解决方案。
如果屏蔽罩或垫片由涂有导电层的塑料制成，则添加一个EMI衬垫不会产生太多问题，但是设计人员必须考虑很多衬垫在导电表面上都会有磨损，通常金属衬垫的镀层表面更易磨损。随着时间成长这种磨损会降低衬垫接合处的屏蔽效率，并给后面的制造商带来麻烦。
如果屏蔽罩或垫片结构是金属的，那么在喷涂抛光材料之前可加一个衬垫把垫片表面包住，只需用导电膜和卷带即可。若在接合垫片的两边都使用卷带，则可用机械固件对EMI衬垫进行紧固，例如带有塑料铆钉或压敏黏结剂(PSA)的“C型”衬垫。衬垫黏着在垫片的一边，以完成对EMI的屏蔽。
衬垫及附件
目前可用的屏蔽和衬垫产品非常多，包括铍-铜接头、金属网线(带弹性内芯或不带)、嵌入橡胶中的金属网和定向线、导电橡胶以及具有金属镀层的聚氨酯泡沫衬垫等。大多数屏蔽材料制造商都可提供各种衬垫能达到的SE估计值，但要记住SE是个相对数值，还取决于孔隙、衬垫尺寸、衬垫压缩比以及材料成分等。衬垫有多种形状，可用于各种特定应用，包括有磨损、滑动以及带铰链的场合。目前许多衬垫带有黏胶或在衬垫上面就有固定装置，如挤压插入、管脚插入或倒钩装置等。
各类衬垫中，涂层泡沫衬垫是新也是市面上用途广的产品之一。这类衬垫可做成多种形状，厚度大于0.5mm，也可减少厚度以满足UL燃烧及环境密封标准。还有另一种新型衬垫即环境/EMI混合衬垫，有了它就可以无需再使用单独的密封材料，从而降低屏蔽罩成本和复杂程度。这些衬垫的外部覆层对紫外线稳定，可防潮、防风、防清洗溶剂，内部涂层则进行金属化处理并具有较高导电性。近的另外一项革新是在EMI衬垫上装了一个塑料夹，同传统压制型金属衬垫相比，它的重量较轻，装配时间短，而且成本更低，因此更具市场吸引力。
结论
设备一般都需要进行屏蔽，这是因为结构本身存在一些槽和缝隙。所需屏蔽可藉由一些基本原则确定，但是理论与现实之间还是有差别。例如在计算某个频率下衬垫的大小和间距时还必须考虑信号的强度，如同在一个设备中使用了多个处理器时的情形。表面处理及垫片设计是保持长期屏蔽以实现EMC性能的关键因素。

伊顿UPS电源价格

伊顿UPS电源行业信息-UPS电源报价

UPS是一种含有储能装置，以整流器、逆变器为主要组成部分的稳压稳频的交流电源。UPS作为保护性的电源设备，它的性能参数具有重要意义，应是我们选购时的考虑重点。市电电压输入范围宽，则表明对市电的利用能力强（减少电池放电）。输出电压、频率范围小，则表明对市电调整能力强，输出稳定。波形畸变率用以衡量输出电压波形的稳定性，而电压稳定度则说明当UPS突然由零负载加到满负载时，输出电压的稳定性。
UPS电源市场在经历多年整合、重组、洗牌之后形成了品牌大集中的局面，整合管理，重新梳理渠道，建立一个完善的分销渠道体系。伊顿收购山特，即拥有面向高端市场的解决方案，又拥有了面向消费类市场的山特系列产品;APC并入施耐德之后，梅兰日兰和APC产品形成极大互补优势;而国内厂商中，科士达更是在延续多年行业市场的同时，携旗下“友电”子品牌，开始冲击沉寂多年的国内UPS电源分销市场。 
云计算给UPS带来的机遇 
随着云计算应用的不断深入,未来中国数据中心市场将迎来新的跨越发展期，下一代数据中心将被打造成动态、智能、绿色、可扩展的云计算平台，要实现这些，用以保障基础设施无障碍运行的UPS同样面临着挑战。 
因为应用外包、信息托管以及以提供虚拟冗余为目的的重复数据存储和更新等云计算服务都将大幅度增加互联网流量以及云计算服务器所处理的数据量，这些新增流量都需要UPS的保护，所以云计算技术不但不会取代UPS电源，还将推动市场对UPS电源的总体需求。总体需求也朝着标准化、高可靠性应用性、绿色节能方向发展。 
云计算带来的第一个要求就是标准化，作为全球优秀的关键电源与制冷服务提供商，来自施耐德电气IT事业部大中华区副总裁兼数据中心业务总经理曲颖表示：“施耐德电气旗下APC的产品无论是UPS还是供配电模块完全是标准化，可以通过热通道遏制系统和InRow这种制冷，让我们的制冷变成标准化和模块化。接下来怎么样有效管理模块化的组建，我们拥有StruxureWare数据中心管理软件平台，它能够把数据中心里面的楼宇、配电、供电、制冷，以及实际运营情况，完全监控起来，后汇总到一个界面里面，让你一目了然。增加设备和减少设备的时候，它会提醒你所有可以影响到关联的应用。我们的产品和解决方案完全能满足标准化的要求。” 
如果说互联网的发展改变了世界，现在云技术的出现使这种改变世界的能力更加大幅提高，UPS作为数据中心基础设施的重要环节，也正在把云的概念引入到UPS电源系统里。伊顿作为全球优秀的多元化能源管理解决方案制造商，基于云计算的概念推出了两项UPS电源的新技术，伊顿北亚区技术总监王伟介绍说：“云计算是按需分配资源，UPS也希望借助按需分配来建立一个数据中心供电的能效优化模式，为此伊顿在全球推出了UPS模块休眠这一业界优秀技术。当设备计算量不大的低负载状态时，部分模块自动进入休眠状态，随着计算量的增长，模块也会自动依次启动并投入正常工作状态，完全实现了按需作业，由此在提高了供电安全性的同时，减少了能源的消耗和IDCPUE值。” 
UPS的发展方向 
1．一个智能化的UPS的硬件部分，基本上是由普通的UPS加上一台微机系统组成。微机系统通过各类信息的分析综合，除完成UPS相应部分正常运行的控制功能外，还应完成以下功能（德国AEGSVSProtect系列UPS已经实现这一点）； 
2．完全数字化 
AEGSVSProtect系列UPS采用新的数字信号器DSP，实现了UPS系统的100%数字化运行。在此系列UPS中，AEGSVS公司还采用了三重微处理器冗余系统，用三个有独立供应电源的微处理器来控制整流器、逆变器和静态电子旁路，因而更高地提高了系统的数字化程度和可靠性。 
3脉冲整流技术 
AEGSVSProtect系列机型采用12脉冲整流器。采用12脉冲整流器的明显好处是：将UPS的输入功率因数有效值PF提高到0.95以上，将UPS的总输入偕波电流分量下降到8%以下，因而也降低了输入电压偕波失真度；12脉冲整流器，再加上内置输入隔离变压器，大大提高了UPS电源对外界瞬态尖峰*的保护能力。 
输入直流电源所包含的交流纹波分量少，有利于延长电池的寿命。（比较：6脉冲整流器需要在前端加上L-C输入滤波器后才可以将UPS的输入功率因数有效值PF到0.95以上，但其总的电流偕波分量只是从原来的30%下降为10%左右，而且如此以来将大大增加UPS的总体成本。 
4．高频化 
第一代UPS的功率开关为可控硅，第二代为功率晶体管，第三代为场控型器件（MOSFET和IGBT）。功率晶体管开关速度比可控硅要高一个数量级，场效应晶体管MOS-FET比功率晶体管要高一个数量级，而IGBT功率器件电流容量比MOSFET大得多，且导通电阻小，工作频率比MOSFET低，但也可以使功率变换电率的载波频率高达50KHz。变换电率频率的提高，使得用于滤波的电感、电容大大减少，UPS效率、噪音、体积、动态响应特性和精度大大提高。 
5．冗余并机技术 
德国AEGSVS公司开发新的应用技术，目前其并机技术可说是处于业界优秀地位。通过几个UPS冗余并机运行，可以更进一步提高系统的供电可靠性。冗余运行意味着在负载基本需求之外至少再安装一台UPS。通过CAN总线技术，可组成UPS系统（至少两台UPS） 
AEGUPS并机运行模式不需另外加设中央控制部件，负载均分。如果某一台UPS单机发生故障，则被立刻关闭，其他的UPS系统会自动承担全部载，对负载不会产生任何影响。AEG通过少有的灵活多主机技术（FMMT）来保证系统安全可靠万无一失。AEG的CAN总线高速、有效的通讯实现了FMMT技术。如果两个主机的任意一个出现故障，另一台机将会即刻自动地接管主控功能。 
6．绿色化 
各种用电设备及电源装置产生的偕波电流及滞后电流严重污染电网，随着各种政策法规的出台，对无污染的绿色电源装置的呼声俞来育高。UPS除加装高效输入滤波器外，还应在电网输入端采用功率因数校正技术，这样既可消除本身由于整流滤波器电路产生的偕波电流，又可补偿功率因数，使UPS的输入功率因数达0.98以上。 
UPS的未来市场展望 
在计算机网络以及通信事业迅猛发展的推动下，当今UPS已在大量引进微处理监控技术的基础上发展成为一种能在UPS网络和计算机网络之间建立起双向通信调控管理功能。UPS网络化有两方面的含义。一是UPS及其监控系统与其所保护的负载——计算机或局域网络间的交互作用。当电源出现异常时，UPS内部的微控制器会及时把异常信息发送给它所保护的计算机或局域网，并发出告警信息，提醒操作员或网络管理员及时处理，并在UPS供电时间结束前自动中止计算机或局域网的运行，并将现场信息自动存盘。通过MODEM向有关人员发出EMAIL、BP-CALL等，在这个意义上UPS是其保护网络的几个节点。另一方面的含义是把UPS当做广义网络的一个独立节点并装上通信适配器，给UPS分配独立的IP地址。这样，网管员或被授权人可在网络的任何地方通过网络像管理计算机一样对UPS的情况进行实时远程监控，利用这种控制功能用户可在计算机网络终端上实时监控UPS的运行参数。此外，用户还可以在计算机网络终端上对UPS的输出执行定时的自动开机、自动关机操作。在自动完成将程序和数据转入磁盘操作之后，再自动“关闭操作系统”。这样有序的关机操作，将确保用户的软件和数据的安全可靠。 
近十年来，随着电信产业的大发展和信息技术水平的飞速提升，大功率UPS电源得到了广泛的应用。作为不可或缺的通信领域的“守护神”，大功率UPS不仅能够防止瞬时停电和事故停电对用户造成的危害，保障通信运营商的业务连续性，更可以有效消除电网杂波，保持电网电压和频率的稳定，从而为不断更新的通信设备和网络设备系统提供高质量的电源供应。 
技术创新，一直是高端UPS市场竞争的核心。从应用上来看，包括UPS在内的动力平台是网络平台正常运行的强大基础，信息网络技术的跃升必然反映到动力平台之上，并对动力系统提出了更为苛刻的要求。比如，如何大程度地提升可靠性与可用性，如何尽可能地消除谐波污染，如何做到能效的大化，同时又不牺牲系统的可靠性等等。UPS产品提供商必须立足客户需求，不断寻求技术上的突破，很好地解答这些问题。 
另外，整个行业继续沿着提供整体解决方案的方向发展。随着网络应用的深入，用户需求的个性化差异更大，不但要求UPS产品具备相当的可靠性与稳定性，而且更加关心整个供电系统甚至支持整个数据中心业务的物理基础设施的可靠性和稳定性，要求厂商能够提供电源系统的全方位解决方案、工程施工建议及完善的售后服务，以降低系统的维护管理成本。